近日以来，隆基在中国提出的无效钝化专利的复审决定被媒体称为中国国家知识产权局捍卫了韩华的专利权，REC反诉韩华的专利诉讼也在美国法院开始发酵，成为了近两年来光伏行业专利战的最新续集。媒体的鼓噪似乎声声切尔，外界感受到国内光伏公司继续会受制于人瑟瑟发抖的第一观感是真实的吗？作为一位密切关注光伏行业专利纠纷进展的果汁局前阿审，给大家来段刀刀到骨头的解牛大法，剔骨解牛后仔细瞧瞧破了迷没。
先说结论，隆基在中国提出的专利无效，实际上可以认为是产业公司的一场大捷；REC的专利反诉也是打蛇打到七寸。看到结论，所有光伏公司领导者/技术专利部门要思考的是同一个问题：我们的产品是否还会侵权，我们的产品能够改变设计不侵权吗？
隆基提起对韩华的两件中国授权钝化专利无效申请，部分无效的无效决定书46712、46660实际上是宣告了：两层钝化专利CN101952971B的专利权被缩小到国内公司可以使用替代技术生产出不侵权的替代PERC产品，三层钝化专利CN102804407B的专利权被缩小到国内主流PERC产品想侵权而不能，臣妾实在是做不到呀。
韩华在中国授权的两件钝化专利的原授权范围如下：
CN101952971B授权的产品独立权利要求：
1.一种用于制造硅太阳能电池的方法，包括以下步骤：
提供硅衬底(1)；通过原子层沉积在硅衬底的表面上沉积第一介电层(3)，其中所述第一介电层包括氧化铝；以及在所述第一介电层(3)的表面上沉积第二介电层(5)，所述第一介电层和所述第二介电层的材料不同，且所述第二介电层中被嵌入氢。
CN102804407B授权的产品独立权利要求
1.一种半导体设备(1)，包括：
半导体层(2)；以及钝化层(3)，其配置在所述半导体层(2)的表面上，并用于钝化半导体层表面(20)，其特征在于，所述钝化层(3)包括化学钝化用钝化子层(31)和场效应钝化用钝化子层(33)，其中所述化学钝化用钝化子层(31)和所述场效应钝化用钝化子层(33)以一个位于另一个之上的方式配置在所述半导体层表面(20)上，其中场效应钝化用钝化子层(33)包含氧化铝、氟化铝、氮氧化铝和/或某种其它化合物，所述某种其它化合物由氧化铝和一种或多种其它元素构成，并且在钝化层(3)上应用有覆盖层，所述覆盖层由氮化硅(SiNx)构成，其中，所述其它元素包括金属或碳。
两层钝化专利的复审决定，复审合议组采纳了夏普的专利CN101548392A作为证据，利用了“抵触申请”这个法条打破两层钝化专利的独权，可惜的是夏普的专利，只是在文本中提及了“硅电池背面可以采用氧化硅/氧化铝，再沉积氮化硅”的钝化方案。并提出更优选的是采用氧化硅+氮化硅的钝化方式，全文更多的是在介绍采用该方案时，厚度、退火温度对氢析出等技术的优选和综合考量。就是这一篇对比文件可以采用氧化铝的一句金句，已经足以缩小该专利独立权利要求的保护范围，使专利的产品覆盖范围减小。更加难得的是复审合议组认定了：“根据本专利说明书的记载，本专利解决的技术问题为：在实现良好钝化效果的前提下实现提高工艺效率和太阳能电池的性能(说明书第5-8段、13-14段、28段)。为了解决该问题，本专利采用了较薄的由原子层沉积的第一介电层氧化铝和较厚的嵌入氢的第二介电层如氮化硅等形成复合钝化层结构，其中原子层沉积的氧化铝可以实现较好的钝化效果，且其较薄可以使得第二介电层的氢进入硅表面实现更好的钝化的同时提高工艺的效率，而较厚的第二介电层在实现钝化的同时还可以作为反射层或者抗反射层，提高太阳能电池的光电转换效率”。最终维持有效的方法独立权利要求就添加了上述必要技术特征：“通过原子层沉积在硅衬底的表面上沉积第一介电层(3)，其中所述第一介电层包括氧化铝；以及…所述第二介电层包含从包括氮化硅、氧化硅和碳化硅的组中选择的材料”。对技术问题和解决技术问题的必要技术特征的认定，这样就明确了很多PERC电池厂家采用的钝化工艺方法就可以不侵犯该方法的权利了哟，窃喜吧，颤抖君们！但是可惜的是，在最终维持有效的产品独立权利要求里面对应的必要技术特征只被要求添加了“处于所述硅衬底(1)的表面上的包含氧化铝的第一介电层(3)…所述第二介电层包含从包括氮化硅、氧化硅和碳化硅的组中选择的材料”，最关键的“通过原子层沉积”的特征没有被要求添加到产品独立权利要求，导致不管何种工艺制备氧化铝钝化层的产品还是可能会落入产品权利要求的保护范围，留下了不大不小的遗憾，以致颤抖君们不敢张大了嘴咧笑。那么到此为止：怎么样的产品形式在中国范围内不侵犯韩华钝化专利的专利权呢？PECVD的方式沉积氧化铝+第二层钝化用SiON(不在氧化铝上直接用氮化硅、氧化硅或碳化硅)或其他钝化层的产品在国内是不是不侵权。仔细想想呐…
说完了这些之后，颤抖们君以后就知道怎么办了吧。
再说一下三层钝化的专利CN102804407B的无效决定书，我们可以大呼：破功了破功了。复审请求人用了激动人心的一招，核实优先权是否成立。不成立则该专利的申请日期后延，有利于更多现有技术文献可供用来影响本案的新创型。恰恰专利CN102804407B所要求的氧化硅和氧化铝层上面覆盖氮化硅层的方案，在优先权文本中未直接出现也不能毫无意义得到，优先权不成立，大写的！申请时间延后到2010年05月31日，嘿嘿，这样清华大学的科技工作者立功了，当然是彼岸的清华，2008-2009年发表的两篇氧化硅+氧化铝+氮化硅钝化的论文“HIGH PERFORMANCE MONOCRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS BY USING REAR SURFACE PASSIVATION OF Al2O3/SiNx STACKS STRUCTURE”、 “High Efficiency Silicon Solar Cells with Bilayer Passivation Structure”直接破功三层钝化的专利；还有料哟，别忘了半导体行业的专利大户们，IGFET器件的钝化专利US20060054937A1也可以用来猛揍一顿太阳能电池钝化的专利哟，谁让你主题是半导体器件的钝化呢，半导体器件专利家族可是庞大到巨大呐，这个无效检索的工作者得加大鸡腿，40米都太短的那种大鸡腿。该专利钝化层结构设置和各层材料(surface passivation layer 504 ，506 is Al2O3，505 such as Si3N4 )与三层钝化的专利完全相同，其中仅未公开表面电荷密度相关特征。
这样子，1+2大于3的效果就出来了，看看现在复审决定后的三层钝化专利成啥样了，产品与方法特征一一对应，且包含了：“场效应钝化用钝化子层(33)包含氧化铝、氟化铝、氮氧化铝和/或某种其它化合物，所述某种其它化合物由氧化铝和一种或多种其它元素构成，并且在钝化层(3)上应用有覆盖层，所述覆盖层由氮化硅(SiNx)构成，其中，所述其它元素包括金属或碳…在所述化学钝化用钝化子层(31)和所述场效应钝化用钝化子层(33)之间配置有中间层，所述场效应钝化用钝化子层(33)是通过等离子体增强化学汽相沉积所沉积的层…场效应钝化材料或所述场效应钝化用钝化子层(33)基本上由表面电荷密度至少为1012cm-2的材料构成”。简而言之，“氧化硅层和氧化铝层之间还存在一层中间层”。
颤抖君们，你们现在还想着侵权的事儿，你们家产品答应么？
说完了好事儿，并不那么好的事儿也得说说。
作为被韩华诉讼侵权的反制手段之一，REC用专利US10749060B2打中了韩华半片组件的七寸，打到您家半片组件没？还是先说结论，REC目前授权的半片专利可是会横扫千军的，能用来打韩华，也能用来打您家产品。没有专门针对半片产品做防侵权设计的话，那是一打一个准。怎么说呢，REC的半片专利就是这么厉害，对咱市面上的半片产品来说，有句不恰当的话，就是照着专利主张的范围来生产的。REC半片组件的范围走起：
US10749060B2独立权利要求
1. A solar cell assembly comprising: a first solar cell unit, comprising: a first solar cell series including a plurality of half-cut solar cells connected in series; a second solar cell series, coupled in parallel with the first solar cell series, including a plurality of half-cut solar cells connected in series; a first bypass diode coupled in parallel with the first solar cell series and the second solar cell series; and a first junction box containing the first bypass diode; and a second solar cell unit, coupled in series with the first solar cell unit, comprising: a third solar cell series including a plurality of half-cut solar cells connected in series: a fourth solar cell series, coupled in parallel with the third solar cell series, including a plurality of half-cut solar cells connected in series; a second bypass diode coupled in parallel with the third solar cell series and the fourth solar cell series; and a second junction box containing the second bypass diode.
CN105359371B
1．一种太阳能电池组件，其特征在于，包括：串联耦合的两个或更多个太阳能电池单元，其中每个太阳能电池单元包括并联耦合的第一太阳能电池系列和第二太阳能电池系列，所述第一太阳能电池系列和第二太阳能电池系列各包括串联连接的多个太阳能电池；耦合到每个太阳能电池单元的旁路二极管，其中所述旁路二极管与所述第一太阳能电池系列和第二太阳能电池系列分别并联耦合；以及多个接线盒，每个接线盒包含至少一个旁路二极管；其中所述太阳能电池单元和所述旁路二极管形成太阳能电池模块，或者其中所述太阳能电池单元和所述旁路二极管形成太阳能电池模块的一部分。
拿您家半片组件比一比，是不是一样一样的？上面一串电池串、下面再一串电池串、中间出个旁路二极管与两串电池串并联进行保护。最常见的MBB半片，TR叠焊的组件版型设计方式，叠加了三角焊带工艺或者其他工艺的组件，只要是半片对称结构，想一想，是不是早就都掉道别人家的陷阱里面去了…
能破功么，能呀。可以在美国的组件别用半片，用三分片呀；可以别一个接线盒接一个旁路二极管呀，可以一个对两个、可以换着旁路的方式呀；可是变了会贵呀，产品会优势不在呀；对的，别人给了解决问题的最优解，并为之做了专利保护，他就能用来作为作战利器，这是人家的战略武器库成员。
说到这里，半片组件做起来有风险，叠瓦组件是不是能够出来闯一闯呀。太平洋那边的两位主可不好惹呢，Sunpower和Solaria还在追着阿特斯美国公司在打官司呢。尤其是大版型、大功率叠瓦组件，Sunpower公司的专利老厉害了，在日本、美国、韩国、澳大利亚都授权了，怕的很呐。就这么优秀的专利，基本包含了竖版大板型叠瓦组件的最优旁路保护解决方式，回过神想一想，这权利要求稳定吗？咱们的叠瓦组件能不能做到不侵权呢，还是先说结论，就阿审所知，国内已经有公司做出了可以破功的组件呐。怎么破功，肯定是绝密，是您家的您会说出来麽。还是先来看看专利具体怎么保护的，JP6642841B2- JP6575671B2等同族授权文本翻译如下：
一种太阳能模块，包括：多个超级电池，它们被布置成两个或更多个物理平行的排，每个超级电池包括多个太阳能电池，所述多个太阳能电池布置成相邻的太阳能电池彼此重叠并且传导性地彼此接合，以将所述太阳能电池串联电连接，每个太阳能电池包括在所述太阳能模块的操作期间将被太阳光照射的前表面和相对设置的后表面；第一端子互连件或多个第一端子互连件，其相对于所述排横向延伸，以电互连位于每一排的第一端处的每个太阳能电池；第二端子互连件或多个第二端子互连件，其相对于所述排横向延伸，以电互连位于每一排的与所述第一端相对的第二端处的每个太阳能电池；多个隐藏分接头互连件，其在所述排的所述第一端和所述第二端之间的所述排中的一个或多个纵向位置处沿着太阳能电池的后表面相对于所述排横向延伸，所述隐藏分接头互连件将位于每一排中的一个或多个纵向位置中的相同一个位置处的太阳能电池进行电互连；
以及多个旁路二极管；其中，所述第一端子互连件或所述多个第一端子互连件、所述第二端子互连件或所述多个第二端子互连件、以及所述多个隐藏分接头互连件一起将每一排电分段成两个或更多个纵向分段，并且将相邻排中的相邻排分段并联电连接，从而形成两个或更多个排分段组；以及其中，每个排分段组与所述多个旁路二极管中的不同一个旁路二极管并联电连接。
对于专利保护的重点已经用粗体标注了，想要不侵权您就使劲想着不按着专利主张的范围这么做就对了，是不是呢？说起来很轻松呢，得仔细想，认真想，还得产品能通过验证，还要考虑产品成本，没那么简单对吧。
想吧，真想不出来产品怎么做到不照着专利的保护范围那么做，那就找专业的检索师把防侵权检索、设计，无效/三方公众意见做起来，没有铁布衫，咱也得有金钟罩护身不是。。。
上面的专利的保护范围有哪一件是能够覆盖所有同类型产品的，有哪一件专利专利权是牢不可破、毫无瑕疵的？可以说，没有一件专利是可以包打天下的，也没有一件产品是不经防止侵权排查就可以随意上市出口而无风险的。面对知识产权的风险，可以采用不同的应对方式。国内推出叠瓦组件产品的某公司A获取了某国外公司专利授权，国内推出叠瓦组件产品的某公司B未获取了专利授权被提起侵权诉讼，也有国内推出叠瓦组件产品的某公司C产品设计时自我创新规避风险专利、有效化解部分专利纠纷。至于您家公司会选择哪种方式，根据自身公司情况取舍即可。
回头看看，上面提到的专利被专业拆解后是不是更能理解其有效保护范围，专利保护对产品的覆盖需要根据产品的技术事实经过仔细比对分析，才知道是否侵权，是否有规避侵权的备选技术途经；要想做产品做的心安理得，一定要寻求专业的解决途径。
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