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天合光能申请专利"TOPcon太阳电池及其制备方法"

企查查显示,天合光能申请一项专利名为“TOPcon太阳电池及其制备方法”,公开号CN118073470A,申请公布日期为2024年5月24日。

专利摘要显示,本发明公开了一种TOPcon太阳电池及其制备方法。制备方法包括如下步骤:对硅衬底进行双面清洗、制绒;对正面进行硼扩散处理形成第一掺杂层,对正面栅线位置进行激光掺杂形成重掺杂层;对正面进行高温氧化推进PN结,并在正面形成掺杂氧化层BSG;去除背面绕镀的掺杂氧化层BSG后,对背面进行抛光处理;对背面进行磷扩散处理形成第二掺杂层;对背面制备隧穿层和多晶硅层,高温退火修复失配晶格使多晶硅层晶化形成固定晶向;去除硅衬底正面绕镀的第二掺杂层以及绕镀的多晶硅层;在硅衬底正面制备第一钝化层,在硅衬底背面制备第二钝化层;以及在正面、背面分别制备电极。本发明能够增加隧穿层下隧穿粒子浓度,提升电池片效率。

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