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天合光能申请光伏电池制备方法专利,使工艺步骤简便

国家知识产权局信息显示,天合光能股份有限公司申请一项名为“光伏电池制备方法、光伏电池”的专利,公开号CN 118748230 A,申请日期为2024年7月。

专利摘要显示,本申请提供一种光伏电池制备方法、光伏电池,光伏电池制备方法包括:提供基底;在基底的正面依次形成硼掺杂层、第二氧化隧穿层、第二本征非晶硅层和硼源层,在第一预定温度下通过硼源层和第二本征非晶硅层得到P型多晶硅层;之后对背面第一本征非晶硅层进行磷扩散,通过第一本征非晶硅层得到N型多晶硅层。其中,本申请的技术方案先使用一次LPCVD技术同时形成第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层,再通过使硼源层和第二本征非晶硅层在第一预定温度下形成P型多晶硅层,再对第一本征非晶硅层进行磷扩散以得到N型多晶硅层,形成P型多晶硅层和N型多晶硅层,且无需掩模板、含源浆料或是离子注入等方法,整体工艺步骤较为简便。

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