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捷泰科技选择性发射极技术助力电池开压与效率双飞跃

为解决N型电池发射极电极接触区域复合大的难题,捷泰科技开发了选择性发射极技术(J-SE),采用激光掺杂的方式,以硼扩后的BSG为硼源,形成表面浓度较高的重掺杂区和较深的结深,有效减少接触区的复合及电阻损耗。该技术的导入能够使电池开压提升5mV,电池效率提升0.3%

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