SiC器件制造过程主要包括"光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄"等工艺,其中,离子注入工艺是SiC掺杂的重要步骤,以满足SiC器件耐高压、大电流功能的实现。然而离子注入后,碳化硅材料的晶格损伤必须通过退火工艺进行修复。在SiC材料晶体生长过程中,退火工艺可以使硅原子获得足够的能量进行扩散和迁移,使...

近日,贵州、山东等多地发文要求"两高"(高耗能、高排放)行业低碳绿色转型。贵州省人民政府印发的《关于加强"两高"项目管理的指导意见》提出,到2025年,重点"两高"行业碳排放强度明显下降,绿色低碳发展能力显著增强；山东省《全省"两高"行业能效改造升级实施方案》则明确,"两高"行业要开展绿色低碳技术...

PERC+是一个统称,指的是在当前PERC电池片工艺的基础上进行的一些延伸与叠加,可以最大化的继承PERC产线的设备与积累的工艺经验,进一步的提升电池片的转换效率;TOPCon本质上也是一种PERC+技术,具有比PERC更高的理论转换效率,可在现有PERC产线上进行升级改造,通过增添LPCVD、硼扩等设备即可实现转换效率...