企查查数据显示，天合光能新获得一项实用新型专利授权，专利名为“减反射膜及太阳能电池”，专利申请号为CN202322528346.6，授权日为2024年5月14日。
专利摘要显示，本实用新型涉及一种减反射膜及太阳能电池。上述减反射膜包括依次层叠设置的氮化硅层、氮氧化硅层以及氧化硅层，氮化硅层、氮氧化硅层和氧化硅层的折射率依次递减，并且控制氮化硅层、氮氧化硅层和氧化硅层的厚度之比为(30～50)∶(15～25)∶(25～35)，相较于传统的氮化硅减反膜，能够降低光反射率。上述减反射膜可设置在电池片基体的正面和/或背面上，其中，氮氧化硅层最靠近于电池片基体，氮氧化硅层位于氮化硅层远离电池片基体的一侧，氧化硅层位于氮氧化硅层远离氮化硅层的一侧。上述减反射膜能够提升太阳能电池的光电转换效率。上述减反射膜设置在太阳能电池的背面时，能够更好地提升背面效率，提升双面率。
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