拉普拉斯(无锡)半导体申请太阳能电池制备中的图形化方法及其应用、太阳能电池专利,提升太阳能电池的性能

13 11月 2024

2024-11-13 10:16

国家知识产权局信息显示，拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司申请一项名为“太阳能电池制备中的图形化方法及其应用、太阳能电池”的专利，公开号CN 118919585 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请提供一种新颖的太阳能电池制备中的图形化方法，包括：对设于硅衬底上的第一掺杂层进行局部激光激活，使第一掺杂层形成第一非激光激活区和掺杂浓度高于第一非激光激活区的第一激光激活区；对第一掺杂层进行湿式热氧化处理，以在第一掺杂层背离硅衬底的一侧形成氧化层，氧化层包括与第一激光激活区对应的第一氧化区和与第一非激光激活区对应的第二氧化区，第一氧化区的厚度大于第二氧化区的厚度；蚀刻以去除第二氧化区同时减薄并保留第一氧化区作为掩膜层；对第一掺杂层进行碱洗去除或减薄第一非激光激活区以获得掺杂图形区。上述方法工艺简单且有利于提升太阳能电池的性能并适合工业规模量产。还提供一种太阳能电池及其制备工艺。