新的NMOS(N型金属氧化物半导体)外延沉积工艺对下一代移动处理器芯片内更快的晶体管至关重要NMOS外延可将晶体管速度提高半个器件节点,同时不增加关闭状态下的功耗2013年7月12日,加州圣克拉拉——应用材料公司在Applied Centura® RP Epi系统设备上新开发了一套NMOS晶体管应用技术,继续保...