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先导稀材申请硅异质结太阳电池及其制备方法专利,有效提高硅异质结太阳电池性能

天眼查知识产权信息显示,广东先导稀材股份有限公司申请一项名为“一种硅异质结太阳电池及其制备方法“,公开号CN202410770236.7,申请日期为2024年6月。

专利摘要显示,本发明属于太阳电池制备技术领域,公开了一种硅异质结太阳电池及其制备方法,该硅异质结太阳电池,包括基底、在基底正面生长的第一薄膜层和在基底背面生长的第二薄膜层,所述第一薄膜层包括在基底正面依次生长的非晶硅薄膜、掺磷非晶硅薄膜、载流子浓度为3?10e20cm?3的第一TCO薄膜、载流子浓度为1?2e20cm?3的第二TCO薄膜、载流子浓度为0.5?1e20cm?3的第三TCO薄膜。本发明通过基底正面沉积的三层不同载流子浓度的第一TCO薄膜、第二TCO薄膜、第三TCO薄膜组成的TCO薄膜结构,可以有效满足TCO薄膜结构的透光性要求和电学传输性能要求,有效提高硅异质结太阳电池性能。

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