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长晶技术再突破 : 赛维又一发明专利预获中国专利优秀奖

近日,中国专利奖评审办公室发布《第二十三届中国专利奖评审结果公示》,赛维申报的“一种籽晶的铺设方法、类单晶硅锭的制备方法和类单晶硅片(ZL 201610077283.9)”的发明专利预获中国专利优秀奖,这是赛维获得三项中国专利优秀奖后的又一荣誉。

此项专利再次表明赛维在长晶技术的研发优势,利用铸锭炉及回收硅料以旋式工艺制备高质量单晶硅片,同时达到节能及循环经济的目的,大幅降低居高不下的硅片成本,在多晶硅价格高涨的今天,赛维此项新技术格外受到市场重视。

中国专利奖评选活动由中国国家知识产权局和世界知识产权组织主办,是中国专门对授予专利权的发明创造给予奖励的政府部门奖,得到了联合国世界知识产权组织(WIPO)的认可,在国际上具有重要影响力。赛维又一发明专利预获中国专利优秀奖,彰显了赛维技术研发的雄厚实力。

赛维拥有国家光伏工程技术研究中心、院士工作站、博士后工作站和技术研究院等高端技术研发平台;配备3位中国科学院院士、10位教授专家领衔的专家技术委员会,为赛维科技创新引路领航。赛维累计获得249项授权专利,其中授权发明专利117项,获得"国家知识产权示范企业"和"江西省知识产权示范企业"荣誉称号。

赛维在行业首创旋式铸造单晶硅技术,该技术生产的高质量单晶硅位错缺陷少,单炉产量高,且成本明显降低。该技术生产的赛单晶硅片产品荣获2021年上海国际太阳能SNEC展会最高奖——太瓦级钻石奖,深受客户好评。在铸造单晶硅技术领域,赛维已申请并获得21项授权专利,形成了全方位的知识产权技术保护群,显示在该技术领域的领先地位。

旋式铸造单晶硅技术的核心装备是旋式铸造单晶硅炉,由邹贵付博士领衔赛维技术团队和中科院陈仙辉院士团队合作研制,由多晶硅铸锭炉改造而成,单炉硅锭重量可达1200公斤。相比传统直拉单晶硅,旋式铸造单晶硅炉生产的“铸造单晶”生产成本要低20%,耗能也仅为前者的23%。近期,赛维技术研发团队对旋式铸造单晶硅生长技术进一步升级,将使得单锭产出重量达到2000kg,预计能耗将再降低约20%,非硅制造成本再降低约30%。在硅片应用上,赛维技术研发团队已将铸造单晶硅片运用于第一代异质结电池上,并己获得试产效率24.08%的水准,目前正计划在第三代异质结电池工艺进行测试,进一步提高铸造单晶的光电转换效率。

我国是单晶硅生产大国,以2021年我国单晶硅产量46万吨为计,如果用旋式铸造单晶硅炉来生产,那么可以在光伏发电减排的基础上再减少740万吨碳排放,相当于每年再造2万公顷森林。旋式铸造单晶硅炉的产业化推广利用,不仅可以提升我国光伏装备水平,大幅降低光伏发电成本,同时对我国节能减排、实现碳中和具有重要意义。

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