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东芝公司推出用于光伏逆变器的碳化硅MOSFET

东芝公司为逆变器和储能系统开发了2200 V碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),以帮助逆变器制造商减小其产品的尺寸及重量。

日本电子制造商东芝公司推出了一种基于碳化硅(SiC)的新型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),主要应用于太阳能逆变器和电池存储系统。

该公司表示,新的MOSFET可能有助于逆变器制造商减小其产品的尺寸及重量。

该公司还提到:“高频运行可以减少其他系统组件的体积和重量,如散热器和过滤器等。”

新产品包含一个2200 V肖特基势垒二极管(SBD),主要应用于1500 V(直流电)两电平逆变器。据制造商介绍,两电平设备相比三电平逆变器,具有更少的开关模块,因此系统体积更小、质量更轻。

据报道,SiC模块具有低传导损耗和低漏源电压的特点。它们导通和关断的开关损耗也较低,分别为14mJ和11mJ。据称,它们具备低漏感、低热阻特性并内置了热敏电阻。

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