摘要：制备N++重掺磷硅单晶需有高纯磷掺杂技术，根据炉内轴向温度梯度设计石英掺杂器，计算出合理的高纯磷掺杂量，设定合理的拉制工艺，最终得到电阻率轴向分布理想的硅单晶棒。
关键词：N++重掺磷硅单晶石英掺杂器掺杂计算拉制工艺
引言：
众所周知，N型电池是制作高效太阳电池的未来之星，我们应大力开发研究和生产太阳电池级N型硅片，而拉制N型硅单晶需有N++重掺磷硅单晶(此时可称为母合金)来作为掺杂剂。拉制重掺需用高纯赤磷，赤磷在常压下的升华温度为41摄氏度，而硅单晶拉制时温度在142摄氏度以上，且在负压下进行。若在冷炉装料时或当硅料熔化后将固态赤磷投放入石英坩埚中，赤磷必然会急速升华，可能会引起溅硅或爆炸等事故，更不会得到电阻率合适的掺杂剂。所以研究制备N++重掺磷硅单晶的工艺技术是满足生产N型硅单晶的首要一步。
实验：
(作者：李英涛、贾瑞峰、徐由兵、高兆伍、刘小明、邹凯、高一凡、曾世铭)
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