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晶科能源申请专利"四结晶硅太阳能电池与光伏组件"

企查查显示,晶科能源申请一项名为“四结晶硅太阳能电池与光伏组件”的专利,申请公布号CN118198168A,申请公布日期为2024年6月14日。

专利摘要显示,本申请涉及光伏技术领域,尤其涉及一种四结晶硅太阳能电池与光伏组件,包括晶硅基底,晶硅基底的正面设有电极区域,电极区域依次层叠设置有第一扩散层、第一隧穿介质层和第一掺杂层,背面依次层叠设置有第二扩散层、第二隧穿介质层和第二掺杂层;第一掺杂层与第一扩散层形成电子高低结,第一扩散层与晶硅基底形成同向结,晶硅基底与第二扩散层形成异向结,第二扩散层与第二掺杂层形成空穴高低结。本申请通过电子高低结和空穴高低结的设置,提高了势垒高度,较高的势垒高度可以有效减少空穴从P型区域移动至N型区域,减少电子与空穴的界面复合损失,促进光生载流子的分离,即提高了四结晶硅太阳能电池的开路电压的同时,电子传输、收集的效率高。

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