利用设备供应商AIXTRON开发的直接外延工艺，光伏研究机构弗劳恩霍夫太阳能研究所的多结太阳能电池创下了22.3%的新效率记录，这种电池是由硅和III-V半导体材料制成的。
在德国联邦教育和研究部资助的MehrSi项目下，弗劳恩霍夫太阳能研究所的研究人员和科学家与伊尔梅瑙工业大学、马尔堡大学和系统制造商AIXTRON进行了合作。
这些合作伙伴方显著降低了硅片III-V半导体层的缺陷密度，令III-V/Si串联太阳能电池的效率创下了22.3%的新记录。
MehrSi项目协调人Frank Dimroth博士表示，“III-V/Si串联太阳能电池创纪录的效率表明，我们已经对材料有了非常透彻的了解。”
“我们成功的在硅表面沉积了III-V层，从而可以避免在外延工艺中使用昂贵的III-V基材。因此，这种方法是未来低成本制造高效串联太阳能电池的关键技术。”
弗劳恩霍夫太阳能研究所预计串联电池相关工作将在新的研发设施中进行，新研发设施将于2020年完工，预计这会加速多结太阳能电池的开发。
钙钛矿硅串联电池提高效率
然而，Oxford PV于2018年12月末创下的最新效率记录表明，钙钛矿硅串联电池效率正在迅速接近30%及以上。美国国家可再生能源实验室已认证了Oxford PV 1 cm2串联电池取得的28%的转换效率，高于此前Oxford PV 27.3%的效率认证记录。
Oxford PV首席技术官Chris Case博士此前表示：“目前的记录表明，技术的发展速度前所未有。我们正在继续推进钙钛矿硅太阳能电池技术，制定了30%以上效率的路线图。我们正在开发的太阳能电池不仅高效而且稳定。来自我们研究和开发设施的类似设备已经通过了至少2000小时的湿热可靠性测试，符合IEC 61215标准。”
PV-Tech原创文章，未经许可严禁转载，违者必究
扫一扫关注微信
