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天合光能申请专利"钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池"

企查查显示,天合光能申请一项专利名为“钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池,公开号CN118053917A,申请公布日期为2024年5月17日。

专利摘要显示,本申请涉及一种钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池。钝化接触结构包括富硅氧化硅层、富氧氧化硅层以及多晶硅层,多晶硅层至少包括第一多晶硅层,所述第一多晶硅层设置在所述富硅氧化硅层和富氧氧化硅层之间。富氧氧化硅层中较大的含氧量,可以有效避免钝化层结晶,提升太阳能电池的钝化效果,从而在保持太阳能电池的钝化性能不变的基础上,能够减小多晶硅层的厚度,进而减小寄生吸收,提高太阳能电池的电流。富硅氧化硅层能够阻碍作为电极的银晶体的进一步刻蚀。同时,第一多晶硅层位于富氧氧化硅层和富硅氧化硅层之间,用于减少富氧氧化硅层和富硅氧化硅层的接触电阻,提高电子的流通能力。

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