随着电动汽车、5G通信、可再生能源和工业自动化市场的迅猛发展，第三代半导体（如SiC, GaN）正成为广泛应用的核心元件。这些材料的使用使器件能够在更高的功率密度、频率和温度下运行，但同时对封装技术提出了更高的要求：如何快速高效地导出芯片产生的大量热量，已成为影响产品性能、寿命与安全性的关键因素。传统的焊接材料（如焊锡膏和软焊料）已逐渐达到应用极限，其导热性有限，并且在高温环境下易形成脆性金属间化合物，从而影响整体可靠性。在此背景下，市场迫切需要一种兼具卓越性能与高效工艺的解决方案。mAgic™ DA252点胶无压烧结银的推出，正是针对这一行业挑战的精准解决方案。
一、技术核心：mAgic™ DA252如何实现芯片在“无压”下在裸铜界面强大结合？
mAgic™ DA252不仅仅是材料的改进，而是对工艺原理的创新突破。其技术核心在于无需额外施加物理压力，即可实现银与铜（Ag-Cu）之间的高强度烧结。这种创新能够提供高达150W/mK的导热能力，为行业提供了显著的性能提升。
DA252卓越性能的关键在于以下三个核心研发突破：
1.更强劲的烧结，源自银颗粒的甄选
亚微米级（0.1~1.0um）的银颗粒相比微米级的（<25um）可以显著提高烧结驱动力。银颗粒表面特殊的有机涂层能够在＜250℃的氮气氛围中充分地分解，使得银颗粒在相对较低的温度下被活化，开始表面扩散与重组，极大地增强烧结后银层与芯片以及基板之间的剪切强度。
备注：蓝色部分为微米级无压烧结银，绿色部分为亚微米级无压烧结银。
2.更可靠的连接，得益于配方体系的创新设计
DA252采用溶剂体系的全烧结型烧结银，其溶剂和粘合剂的选择与配比在整体配方中发挥至关重要的作用。在烧结过程中，溶剂的充分挥发以及有机涂层分解后气体的有效排出，是确保大尺寸芯片烧结后具备极低空洞率的关键因素。
3.更稳定的工艺，成就于精准的开发定义 在银膏开发过程中，科学地确定了金属与有机载体的比例。此外，在开发阶段精细定义了关键工艺参数，有效减少了批次间的差异，从而实现批量生产的高良率与一致性。 二、应用测试 1.连续画胶测试 参数设置 l画胶速度= 10mm/s l画胶图案= 1x1mm l画胶压力= 130KPa l点胶头内径= 0.20mm 规格： u画胶面积公差±20% u连续作业没有点胶头堵孔
结论：经过连续12小时的点胶操作，图案面积始终保持在规格范围内。此外，整个过程中未出现点胶头堵塞的问题，确保了持续作业的稳定性和效率。 1.小尺寸(＜2mmx2mm)芯片贴装与烧结测试 测试条件 l芯片尺寸（mm）1.63x1.3 l芯片背金材质为银
结论（如图4所示）： 1)小于2mmx2mm的芯片使用了画X的图案； 2)open-time（画完胶到贴装芯片的等待时间）可以达到2个小时，即在Time 0和time2小时贴装均可以到达100%银膏覆盖。 3)烘烤之后芯片底部无空洞 4)室温下推力强度平均值62.2MPa，高温260℃推力平均值62.2MPa。 2.大尺寸芯片贴装与烧结测试 测试条件 芯片尺寸（mm）：5x5 引线框架：TO247裸铜框架
结论（如图5所示）： 1)需根据芯片的尺寸形状定义画胶图案，以确保100%银膏覆盖率。 2)芯片侧面的爬胶高度可控，芯片底部100%银膏覆盖。 3)X-ray显示无空洞。 4)室温下推力强度50.7MPa，高温260℃推力平均值45.7MPa 1. 2. 3. 3.空隙率与BLT测量 备注：分别对应芯片切片的左中右
结论（如图6所示）： 1)烘烤完胶厚为30um左右，厚度均匀。 2)孔隙率＜30%，较低的孔隙率是决定高导热率的关键因素。 三、可靠性测试 1.温度循环测试（-55~150℃，2000次循环） 高铅焊料PbSn5Ag2.5对无压烧结银DA252
结论：如图7所示，高铅焊料在500至1000次循环之间平均导通电阻出现显著的变化；在1500次循环测量中观察到平均 最新相关
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