比太科技申请用于异质结电池I层钝化的连续镀膜专利,大幅提高镀膜速度

17 12月 2024

2024-12-17 16:51

国家知识产权局信息显示，常州比太科技有限公司申请一项名为“用于异质结电池I层钝化的连续镀膜方法、装置及系统”的专利，公开号CN 119121194 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明涉及异质结电池钝化镀膜技术领域，具体涉及一种用于异质结电池I层钝化的连续镀膜方法、装置及系统，包括如下步骤：步骤S1，将PECVD腔体的温度预设至220‑260℃，将N型单晶硅片送入PECVD腔体；步骤S2，启动第一电源，通入O2和SiH4，电磁场的功率设定为100‑600W，在N型单晶硅片的表面得到I1层；步骤S3，启动第二电源，通入SiH4，电磁场的功率设定为100‑400W，在I1层的表面得到I2层；步骤S4，启动第三电源，通入SiH4和H2，电磁场的功率设定为100‑400W，在I2层的表面得到I3层；步骤S5，将I层钝化的N型单晶硅片送出PECVD腔体；本发明在沉积I1层的同时通入O2以抑制高温带来的外延生长，配合电磁场，从而在高温环境下大幅提高了镀膜的速度。