Q：储能IGBT价值量，是否比光伏的价值量更高？
A：储能用更多的IGBT和SiC，涉及到DCDC和DCAC两个环节。两种方案，光储一体以及单独储能系统。独立的储能系统，功率半导体器件的用量是光伏的1.5倍左右。目前光储一体可能占比超过60-70%，单独储能系统占比30%。
Q：SiC在储能的应用？
A：二极管目前已经放量了，SiC SBD价格比同等级硅基二极管高3倍。但是SiC MOS是硅基的5倍以上。所以价格还是比较高，储能可以应用，但是光伏逆变器成本也比较敏感，以SiC MOS目前的价格机会不大。随着未来的价格逐步降低，未来2-3年价格如果下降至IGBT 2倍，那效率提升会来带比较大的优势。猜测可能在2025年开始放量。1200V电压等级相对硅基性能上有很大优势。尤其在组串式上面，可以减少体积，提升效率。
Q：逆变器厂商IGBT库存水位？
A：没有什么IGBT库存，这是光伏最大的产能制约，所以光伏厂商下单存在overbooking的情况。
Q：IGBT整体供需情况？
A：IGBT的周期比较明显，3年一个周期。而这一次缺货时间比较长，影响因素比较多。随着各家在释放产能，24年出现供需反转，23年大概率还会存在一定缺货。
Q：储能中SiC MOS渗透率以及后续价值量？
A：SiC MOS目前渗透率不高，可能15-20%。功率等级以1200V 40毫欧32毫欧为主，电化学储能去年2.2GW，每瓦变流器成本0.3元左右，如果纯用SiC，成本占比35-40%。
Q：储能5GW抽蓄有用到什么功率器件么？
A：也有用IGBT的，但是比例不高，不用变频，用泵把水提上去，用的是水电站的发电方式，通过闸门来调节。以后抽蓄肯能会用风电变流器的双馈的方式。双馈的功率只需要抽蓄功率的30%。
Q：电化学储能？
A：电化学储能用硅基MOS占比40-50%，微逆里面用MOS占比稍低一些。SiC MOS比较贵，还是以硅基为主。10KW以下的用硅基MOS，10KW以上用MOS效率不高。目前IGBT的开关频率可以做到40-50K，已经完全符合要求。
Q：国内哪些IGBT厂商在光储进展快一些？
A：斯达和中车比较快，国内还有新洁能、宏微等厂商。SiC泰克天润、基本半导体，55所刚起来。士兰微做的也很好，着重低压领域，在光伏的量还没有完全释放出来。华润单管小器件做的可以，但是IGBT做的不行。赛晶1200v-1700v模块做的也不错，赛晶团队在瑞士，欧洲的技术。SiC主要以SBD为主，MOS非常少，今年量加起来可能不到5千万。
Q：有没有企业采用GaN方案？
A：GaN特性只能到650V，在小功率和射频用的比较多。光伏储能不需要那么高的开关频率， SiC已经足够，没有什么大的市场。
Q：赛晶出货情况？
A：最近出了一些问题，人员流动，工厂也遇到一些问题没有大规模量产，产能可能接近100万只，但是市场导入没有太多，有批量但是没有爬坡。
Q：SGT高压MOS是否缺货？
A：总体还是比较缺货。
Q：光伏芯片士兰微横向对比水平？什么时候放量？
A：士兰微很早就在厦门布局12寸，马上开始放量，后年的量会比较大。英飞凌7代沟槽很密，士兰微能对标英飞凌5代，至少超过4代的水平。在国内士兰微还没有达到华虹的水平。中芯绍兴的水平可能跟士兰微的水平接近。国内芯片水平差的不是太多，器件的话斯达>中车>斯达。
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