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金属化成本

非晶硅(a-Si)沉积是HJT电池的核心工艺,也是决定其电性能的关键。

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺具有较高的稳定性和设备成熟度,是目前a-Si:H薄膜制备的主流工艺。TCO薄膜可以提供高导电性,减少反射,并保护a-Si:H层。最广泛使用的TCO涂层技术是磁控溅射(PVD)和反应等离子体沉积(RPD)。尽管氧化铟钨(IWO)具有更好的光电性能,但由于专利和成本原因,很少有制造商采用RPD。

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