工信部就光伏制造行业规范条件征求意见

工业和信息化部日前宣布为引导光伏制造行业加快转型升级，推动我国光伏产业健康有序发展，根据《国务院关于促进光伏产业健康发展的若干意见》和国家有关法律法规及产业政策，工信部组织起草了《光伏制造行业规范条件（征求意见稿）》(以下简称《规范条件》)，现公开征求意见。

《规范条件》主要分为生产布局与项目设立，生产规模和工艺技术，资源综合利用及能耗，环境保护，质量管理，安全、卫生和社会责任，监督与管理等方面。对原有和新建光伏制造企业做出要求，涉及光伏行业上游从硅锭生产、切片、电池生产到组件制造的部分，同时包括对薄膜光伏制造商的要求。今后有关部门对光伏制造企业的投资、土地供应、环评等监管将依据本《规范条件》，而不符合《规范条件》的制造商将无法获得出口退税等优惠政策。

在项目设立方面，《规范条件》重申严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目。对加强技术创新、降低生产成本等确有必要的新建和改扩建项目，报行业主管部门及投资主管部门备案。新建和改扩建光伏制造项目，最低资本金比例为20%。。

在具体生产规模方面，《规范条件》要求多晶硅项目每期规模大于3000吨/年；硅锭年产能不低于1000吨；硅棒年产能不低于1000吨；硅片年产能不低于5000万片；晶硅电池年产能不低于200MWp；晶硅电池组件年产能不低于200MWp；薄膜电池组件年产能不低于50MWp。申报符合规范名单时上一年实际产量不低于产能要求的50%。

而在工艺技术方面，《规范条件》要求光伏制造企业需具有省级以上独立研发机构、技术中心或高新技术企业资质，每年用于研发及工艺改进的费用不低于总销售额的3%且不少于1000万元人民币。

针对日前引发讨论的效率问题，《规范条件》进一步明确。对现有光伏制造商，要求多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%，组件效率分别不低于14.5%和15.5%。硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。

而对新建和改扩建项目则要求，多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18%和20%，组建效率不低于16.5%和17.5%，硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。

在能耗方面，《规范条件》对多晶硅还原项目，硅锭项目(包含准单晶和高效多晶)，硅棒项目，硅片项目，电池和组件项目的综合能耗均做出了要求。其中要求现有多晶硅项目还原电耗小于80千瓦时/千克，综合电耗小于140千瓦时/千克；新建和改扩建项目还原电耗小于60千瓦时/千克，综合电耗小于100千瓦时/千克；

在质量管理方面，《规范条件》还特别要求组件使用寿命不低于25年，质保期不少于10年。

在《规范条件》的落实方面，其中要求新建和改扩建光伏制造企业及项目应当符合本规范条件要求。现有光伏制造企业及项目应当符合本规范条件要求，未满足规范条件要求的企业及项目根据产业转型升级的要求，在国家产业政策的指导下，通过兼并重组、技术改造等方式，尽快达到本规范条件的要求。对光伏制造企业及项目的投资、土地供应、环评、节能评估、质量监督、安全监管、信贷授信等管理应依据本规范条件。不符合本规范条件的企业及项目，其产品不得享受出口退税、国内应用扶持等政策支持。

光伏制造企业应对照规范条件编制相关申报材料，通过省级工业和信息化主管部门报送工业和信息化部。工业和信息化部组织行业机构、检测机构对企业进行检查，定期公告符合本规范条件的企业名单，并会同有关部门组织行业机构、检测机构从市场上对已公告企业产品等进行抽查，实行社会监督、动态管理。

对本征求意见稿，工信部要求相关方在2013年9月5日前反馈意见或建议，请点击此处了解具体联系方式。