天合光能申请光伏电池专利,该光伏电池能增大第一隧穿氧化层面积,以提高电池转换效率

27 03月 2024

2024-03-27 13:45

据国家知识产权局公告，天合光能股份有限公司申请一项名为“光伏电池、光伏电池组件与光伏电池的制造方法“，公开号CN117766598A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本申请涉及光伏电池、光伏电池组件与光伏电池的制造方法。光伏电池包括：基底，基底具有沿第一方向相对设置的向光面和背光面，背光面设有第一凹槽，第一方向为基底的厚度方向；第一钝化结构，设于第一凹槽内，第一钝化结构包括覆盖于第一凹槽的槽壁的第一隧穿氧化层，以及层叠设置于第一隧穿氧化层上的第一多晶硅层；减反射层，设于基底的背光面的一侧，以覆盖背光面和第一钝化结构；第二钝化结构，设于减反射层内；包括层叠设置的第二隧穿氧化层与第二多晶硅层；第一多晶硅层与第二多晶硅层掺杂类型不同；第一钝化结构与第二钝化结构在第一方向的投影错开。该光伏电池能增大第一隧穿氧化层面积，以提高电池转换效率。