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天合光能申请光伏电池专利,该光伏电池能增大第一隧穿氧化层面积,以提高电池转换效率

据国家知识产权局公告,天合光能股份有限公司申请一项名为“光伏电池光伏电池组件与光伏电池的制造方法“,公开号CN117766598A,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,本申请涉及光伏电池、光伏电池组件与光伏电池的制造方法。光伏电池包括:基底,基底具有沿第一方向相对设置的向光面和背光面,背光面设有第一凹槽,第一方向为基底的厚度方向;第一钝化结构,设于第一凹槽内,第一钝化结构包括覆盖于第一凹槽的槽壁的第一隧穿氧化层,以及层叠设置于第一隧穿氧化层上的第一多晶硅层;减反射层,设于基底的背光面的一侧,以覆盖背光面和第一钝化结构;第二钝化结构,设于减反射层内;包括层叠设置的第二隧穿氧化层与第二多晶硅层;第一多晶硅层与第二多晶硅层掺杂类型不同;第一钝化结构与第二钝化结构在第一方向的投影错开。该光伏电池能增大第一隧穿氧化层面积,以提高电池转换效率。

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